NXP USA Inc. BZV85-C30
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BZV85-C30
1786-BZV85-C30
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 30 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
1最小包装量--
BZV85-C30详情
NXP USA Inc. BZV85-C30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Part Package Code
DO-41
Risk Rank
5.25
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
ROUND
Power Dissipation (Max)
1 W
Manufacturer Part Number
BZV85C30
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
200 °C
Reference Voltage-Nom
30 V
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-41
工作测试电流
8 mA
反向电流-最大值
0.05 µA
动态阻抗-最大值
45 Ω
电压温度系数
32 mV/°C
BZV85-C30拓展信息
NXP USA Inc.
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