NXP USA Inc. BZV85-C36
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BZV85-C36
1786-BZV85-C36
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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DIODE 36 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
1最小包装量--
BZV85-C36详情
NXP USA Inc. BZV85-C36重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
30
Reference Voltage-Nom
36 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZV85-C36
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.34
Part Package Code
DO-41
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
最大功率耗散
1 W
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
50 Ω
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
50 nA
测试电流
8 mA
齐纳电压
36 V
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-41
工作测试电流
8 mA
反向电流-最大值
0.05 µA
动态阻抗-最大值
50 Ω
电压温度系数
39.9 mV/°C
长度
4.8 mm
高度
2.6 mm
宽度
2.6 mm
达到SVHC
无SVHC
BZV85-C36拓展信息
NXP USA Inc.
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