NXP USA Inc. BZX79C5V1AMO

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Power Dissipation (Max)

500 mW

Voltage Rating (DC)

5.1 V

RoHS

Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZX79-C5V1AMO

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.22

Part Package Code

DO-35

包装

Tape & Box (TB)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

额定功率

500 mW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

CECC50005-005

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

60 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

功率耗散

500 mW

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

2 µA

测试电流

5 mA

齐纳电压

5.1 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

5 mA

电压允差

5 %

反向电流-最大值

2 µA

动态阻抗-最大值

60 Ω

电压温度系数

1.2 mV/°C

辐射硬化

无

无铅

无铅