NXP USA Inc. BZX84-B6V2
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BZX84-B6V2
1786-BZX84-B6V2
二极管 - 齐纳 - 单
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DIODE 6.2 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode
--最小包装量--
BZX84-B6V2详情
NXP USA Inc. BZX84-B6V2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Reference Voltage-Nom
6.2 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZX84-B6V2
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
3.81
Part Package Code
SOT-23
包装
切割胶带
容差
2 %
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
电压基准二极管
最大功率耗散
250 mW
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
电压
62 V
元素配置
Single
电流
1 A
二极管类型
泽纳电极
最大反向漏电电流
3 µA
测试电流
5 mA
齐纳电压
6.2 V
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
TO-236AB
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
10 Ω
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm
长度
3 mm
达到SVHC
无SVHC
BZX84-B6V2拓展信息
NXP USA Inc.
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