BZX84-C4V7
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NXP USA Inc. BZX84-C4V7

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型号

BZX84-C4V7

utmel 编号

1786-BZX84-C4V7

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 4.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

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BZX84-C4V7 NXP USA Inc. DIODE 4.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

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BZX84-C4V7详情

NXP USA Inc. BZX84-C4V7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • Breakdown Voltage / V

    4.7 V

  • Voltage Rating (DC)

    4.7 V

  • RoHS

    Compliant

  • Reference Voltage-Nom

    4.7 V

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BZX84-C4V7

  • Power Dissipation (Max)

    0.3 W

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    3.85

  • 包装

    切割胶带

  • 容差

    5 %

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 电容量

    260 pF

  • 子类别

    电压基准二极管

  • 额定功率

    350 mW

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    SINGLE

  • 电流

    5 mA

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 功率耗散

    250 mW

  • 正向电流

    10 mA

  • 最大反向漏电电流

    3 µA

  • 齐纳电压

    4.7 V

  • 最大电压允差

    5%

  • 工作测试电流

    5 mA

  • 反向电压

    2 V

  • 动态阻抗-最大值

    80 Ω

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 环境温度范围高

    150 °C

  • 高度

    1.1 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

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BZX84-C4V7拓展信息

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