NXP USA Inc. MPSA43,116
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MPSA43,116
1786-MPSA43,116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS NPN 200V 0.1A SOT54
1最小包装量--
MPSA43,116详情
NXP USA Inc. MPSA43,116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
Reach合规守则
unknown
基本部件号
MPSA43
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
200V
转换频率
50MHz
频率转换
50MHz
最大耗散功率(Abs)
0.625W
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
4pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MPSA43,116拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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