NXP USA Inc. MPSA64,116
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MPSA64,116
1786-MPSA64,116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT54
1最小包装量--
MPSA64,116详情
NXP USA Inc. MPSA64,116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
表面安装
NO
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MPSA64
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
125MHz
频率转换
125MHz
VCEsat-最大值
1.5 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MPSA64,116拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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