NXP USA Inc. PBLS2002S,115

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

2

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA 3A

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

PBLS2002

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA 5V / 150 @ 2A 2V

最大集极截止电流

1μA 100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 20V

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

最大耗散功率(Abs)

1.5W

电阻基(R1)

4.7k Ω

电阻-发射极基极(R2)

4.7k Ω

关断时间-最大值（toff)

205ns

接通时间-最大值(ton)

41ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant