NXP USA Inc. PBSS8110AS,126
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PBSS8110AS,126
1786-PBSS8110AS,126
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS NPN 100V 1A TO92
1最小包装量--
PBSS8110AS,126详情
NXP USA Inc. PBSS8110AS,126重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
配置
Single
功率 - 最大
830mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 250mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
0.83W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS8110AS,126拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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