NXP USA Inc. PDTC115EEF,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

基本部件号

PDTC115

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻基(R1)

100 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

100 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant