NXP USA Inc. PDTC323TK,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

电阻基(R1)

2.2 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant