PMDPB65UP,115
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NXP USA Inc. PMDPB65UP,115

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型号

PMDPB65UP,115

utmel 编号

1786-PMDPB65UP,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

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PMDPB65UP,115 NXP USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

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PMDPB65UP,115详情

NXP USA Inc. PMDPB65UP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-UDFN Exposed Pad

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 基本部件号

    PMDPB65UP

  • 引脚数量

    6

  • 功率 - 最大

    520mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    380pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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