NXP USA Inc. PMWD15UN,518
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PMWD15UN,518
1786-PMWD15UN,518
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
1最小包装量--
PMWD15UN,518详情
NXP USA Inc. PMWD15UN,518重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.6A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
4.2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.5m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMWD15UN,518拓展信息
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