NXP USA Inc. PMWD20XN,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.4A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

4.2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

JEDEC-95代码

MO-153

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant