NXP USA Inc. SI9936DY,518

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

终端形式

鸥翼

基本部件号

SI9936

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

900mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant