onsemi 2SC3143-5-TB-E

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

3-CP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

80 mA

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

2SC3143-5-TB-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.75

系列

-

操作温度

125°C (TJ)

JESD-609代码

e6

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 3mA, 30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160 V

频率转换

150MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.08 A

最小直流增益（hFE）

135

集电极-发射器电压-最大值

160 V

VCEsat-最大值

0.7 V

集电极-基极电容-最大值

2.8 pF

环境耗散-最大值

0.2 W