2SC4080E-TD-E
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onsemi 2SC4080E-TD-E

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型号

2SC4080E-TD-E

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-2SC4080E-TD-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2SC4080 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

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2SC4080E-TD-E onsemi 2SC4080 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

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2SC4080E-TD-E详情

onsemi 2SC4080E-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    400 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2SC4080E-TD-E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.77

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e6

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 配置

    DARLINGTON

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 集电极-发射器电压-最大值

    200 V

  • VCEsat-最大值

    1 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    1.8 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.5 W

0个相似型号

技术文档: onsemi 2SC4080E-TD-E.

2SC4080E-TD-E拓展信息

MMBT3904TT1G
MMBT3904TT1G

ON Semiconductor

MMBTA92LT1G
MMBTA92LT1G

ON Semiconductor

SMMBT5551LT1G
SMMBT5551LT1G

ON Semiconductor

BCP56-16T1G
BCP56-16T1G

ON Semiconductor

BCP56T1G
BCP56T1G

ON Semiconductor

BC857CLT1G
BC857CLT1G

ON Semiconductor

PZT2907AT1G
PZT2907AT1G

ON Semiconductor

MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G

ON Semiconductor

2N3904BU
2N3904BU

ON Semiconductor

MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G

ON Semiconductor

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