onsemi KSE13009FTU

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220F-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

onsemi

Package

Bulk

Product Status

最后一次购买

Current-Collector (Ic) (Max)

12 A

Emitter- Base Voltage VEBO

9 V

Pd - Power Dissipation

100 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Unit Weight

0.127339 oz

Minimum Operating Temperature

-

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

4 MHz

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi / Fairchild

Maximum DC Collector Current

12 A

DC Current Gain hFE Max

40

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

400 V

Package Description

TO-220F, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

4 MHz

Manufacturer Part Number

KSE13009FTU

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TO-220F

系列

KSE

操作温度

150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

100 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700 V

最大耗散功率(Abs)

50 W

集电极电流-最大值(IC)

12 A

最小直流增益（hFE）

6

集电极-发射器电压-最大值

400 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT