MTD2955VG详情
onsemi MTD2955VG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Package Description
LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
Manufacturer Package Code
CASE 369C-01
Drain Current-Max (ID)
12 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.23 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
42 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
216 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
MTD2955VG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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