onsemi NVMYS4D6N06CTWG

工厂交货时间

4 Weeks

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Package Code

760AB

Drain Current-Max (ID)

92 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0047 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

565 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

524 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

79.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF