onsemi NXH100B120H3Q0SG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

厂商

onsemi

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

61 A

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free) Solder Pins

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.77V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

子类别

Discrete Semiconductor Modules

配置

2 Independent

功率耗散

186W

功率 - 最大

186 W

输入

Standard

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

最大集极截止电流

200 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A

连续集电极电流

61A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

9.075 nF @ 20 V