onsemi NXH450B100H4Q2F2SG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

56-PIM (93x47)

厂商

onsemi

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

101 A

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

Q2BOOST - Case 180BR (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)

Maximum Collector Emitter Voltage

1000 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Pd - Power Dissipation

234 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

12

Continuous Collector Current at 25 C

101 A

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1000 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

子类别

IGBTs

配置

2 Independent

功率耗散

234W

功率 - 最大

234 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

600 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 150A

连续集电极电流

101A

IGBT类型

-

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

9.342 nF @ 20 V

产品

IGBT碳化硅模块

产品类别

IGBT模块