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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥566.375706
10
¥534.316705
100
¥504.072363
500
¥475.539961
1000
¥448.622611
NXH50M65L4C2SG详情
onsemi NXH50M65L4C2SG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
供应商器件包装
27-DIP
厂商
onsemi
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Package Type
DIP
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Pd - Power Dissipation
-
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
6
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
引脚数量
27
配置
三相逆变器
功率耗散
-
功率 - 最大
20 mW
输入
单相桥式整流器
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
250 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 75A
连续集电极电流
50A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
4.877 nF @ 20 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
NXH50M65L4C2SG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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