onsemi NXH50M65L4Q1SG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

56-PIM (93x47)

厂商

onsemi

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

48 A

Pd - Power Dissipation

72 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.56 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

21

Continuous Collector Current at 25 C

48 A

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

175°C (TJ)

包装

Tray

子类别

IGBTs

配置

全桥

功率 - 最大

86 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

300 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.22V @ 15V, 50A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

3.137 nF @ 20 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块