onsemi STD18N06LT4G-VF01

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

DPAK-3/2

Drain Current-Max (ID)

18 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

120 ns

Turn-on Time-Max (ton)

180 ns

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

55 W

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

环境耗散-最大值

55 W