ON Semiconductor 12A02MH-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-240mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

600mW

频率

450MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

600mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

240mV @ 20mA, 400mA

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

15V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

850μm

长度

2mm

宽度

1.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅