ON Semiconductor 2N3772G
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2N3772G
1807-2N3772G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-204AA, TO-3
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ON SEMICONDUCTOR - 2N3772G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 200 kHz, 150 W, 20 A, 60 hFE
--最小包装量--
2N3772G详情
ON Semiconductor 2N3772G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
引脚数
2
质量
13.607771g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4V
Number of Elements
1
hFEMin
15
操作温度
-65°C~200°C TJ
包装
Tray
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
150W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
20A
频率
200kHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2N3772
引脚数量
2
元素配置
Single
功率耗散
150W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200 kHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
20A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 10A 4V
最大集极截止电流
10mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
4V @ 4A, 20A
转换频率
0.2MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
高度
26.67mm
长度
39.37mm
宽度
8.509mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N3772G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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