ON Semiconductor 2N3906BU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

-200mA

频率

250MHz

基本部件号

2N3906

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅