ON Semiconductor 2N3906RLRA

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N3906

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅