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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2N4401_D11Z
2N4401_D11Z
2N4401_D11Z

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ON Semiconductor 2N4401_D11Z

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型号

2N4401_D11Z

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N4401_D11Z

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

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2N4401_D11Z
2N4401_D11Z ON Semiconductor TRANS NPN 40V 0.6A TO-92

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N4401_D11Z重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    40V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    750mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    40V

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 额定电流

    600mA

  • 频率

    250MHz

  • 基本部件号

    2N4401

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    625mW

  • 增益带宽积

    250MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40V

  • 最大集电极电流

    600mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 150mA 1V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    750mV @ 50mA, 500mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
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