ON Semiconductor 2N4401G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

类型

通用型

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

600mA

频率

250MHz

基本部件号

2N4401

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

255ns

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅