ON Semiconductor 2N4401TF
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2N4401TF
1807-2N4401TF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
--最小包装量--
2N4401TF详情
ON Semiconductor 2N4401TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
100
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
750mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
已出版
2001
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
600mA
频率
250MHz
基本部件号
2N4401
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
250MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
关断时间-最大值(toff)
255ns
宽度
4.19mm
长度
5.2mm
高度
5.33mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
2N4401TF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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