ON Semiconductor 2N4403RLRAG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

-600mA

频率

200MHz

基本部件号

2N4403

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

255ns

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅