ON Semiconductor 2N4919G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

30W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

频率

3MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N4919

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

30W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

31.75mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅