ON Semiconductor 2N5088BU

生命周期状态

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包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

hFEMin

300

Number of Elements

1

已出版

2001

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

100mA

频率

50MHz

基本部件号

2N5088

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

宽度

4.19mm

长度

5.2mm

高度

5.33mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅