ON Semiconductor 2N5088TF

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-92-3

引脚数

3

质量

240mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

300

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

100mA

频率

50MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

最小直流增益（hFE）

300

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅