2N5191
2N5191

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor 2N5191

  • 收藏
  • 对比

型号

2N5191

utmel 编号

1807-2N5191

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-225AA, TO-126-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN PWR GP 4A 60V TO225AA

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
2N5191
2N5191 ON Semiconductor TRANS NPN PWR GP 4A 60V TO225AA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:10

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2N5191详情

ON Semiconductor 2N5191重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-225AA, TO-126-3

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-126

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    KYOCERA AVX

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    4 A

  • Base Product Number

    2N5191

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    2 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N5191

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Risk Rank

    5.31

  • Part Package Code

    SIP

  • 系列

    *

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    40 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    25 @ 1.5A, 2V

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • JEDEC-95代码

    TO-126

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 150mA, 1.5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60 V

  • 频率转换

    2MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    40 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    4 A

  • 最小直流增益(hFE)

    10

  • 集电极-发射器电压-最大值

    60 V

  • VCEsat-最大值

    1.4 V

  • 环境耗散-最大值

    40 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N5191.

2N5191拓展信息

MMBT3904TT1G
MMBT3904TT1G

ON Semiconductor

MMBTA92LT1G
MMBTA92LT1G

ON Semiconductor

SMMBT5551LT1G
SMMBT5551LT1G

ON Semiconductor

BCP56-16T1G
BCP56-16T1G

ON Semiconductor

BCP56T1G
BCP56T1G

ON Semiconductor

BC857CLT1G
BC857CLT1G

ON Semiconductor

PZT2907AT1G
PZT2907AT1G

ON Semiconductor

MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G

ON Semiconductor

2N3904BU
2N3904BU

ON Semiconductor

MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z