ON Semiconductor 2N5210TF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低噪音

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100mA

频率

30MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N5210

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 1mA, 10mA

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅