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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 2N5247
2N5247
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注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 2N5247

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  • 对比

型号

2N5247

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N5247

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC AMP RF N-CHAN 30V TO-92

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2N5247
2N5247 ON Semiconductor IC AMP RF N-CHAN 30V TO-92

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2N5247详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N5247重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 质量

    200.998119mg

  • Breakdown Voltage / V

    -30V

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    8V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 额定电流

    24mA

  • 频率

    400MHz

  • 基本部件号

    2N5247

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    15V

  • 晶体管类型

    N-Channel JFET

  • 连续放电电流(ID)

    15mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 噪声图

    4dB

  • 高度

    5.33mm

  • 长度

    5.2mm

  • 宽度

    4.19mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N5247.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2N5247相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Element Configuration
    查看对比:
  • 2N5247

    2N5247

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    15 V

    15 mA

    350 mW

    350 mW

    8 V

    Single

  • BF256B
    BF256B

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    30 V

    13 mA

    350 mW

    350 mW

    -30 V

    Single

    2N5247
    VS
    BF256B
  • 2N5950
    2N5950

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    15 V

    15 mA

    350 mW

    350 mW

    30 V

    Single

    2N5247
    VS
    2N5950

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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型号：MMBF5485

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