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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2N5302G
2N5302G
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ON Semiconductor 2N5302G

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  • 对比

型号

2N5302G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N5302G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - 2N5302G - ?????????? ??????????, ?????????????, NPN, 60 ?, 2 ???, 200 ??, 30 ?, 2 hFE

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2N5302G
2N5302G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - 2N5302G - ?????????? ??????????, ?????????????, NPN, 60 ?, 2 ???, 200 ??, 30 ?, 2 hFE

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2N5302G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N5302G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-204AA, TO-3

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    2

  • 质量

    13.607771g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    750mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    15

  • 操作温度

    -65°C~200°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 最大功率耗散

    200W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    30A

  • 频率

    2MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    2N5302

  • 引脚数量

    2

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    2MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    30A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    15 @ 15A 2V

  • 最大集极截止电流

    5mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    3V @ 6A, 30A

  • 转换频率

    2MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 高度

    25.4mm

  • 长度

    38.1mm

  • 宽度

    25.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N5302G.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2N5302G相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
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选择时请仔细核对商品参数信息

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