ON Semiconductor 2N5366

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

-500mA

基本部件号

2N5366

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 30mA, 300mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

集电极-基极电容-最大值

8pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅