ON Semiconductor 2N5401YBU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-160V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-600mA

频率

400MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2N5401

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

400MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅