ON Semiconductor 2N5655

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

250V

最大功率耗散

20W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N5655

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

10V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 100mA 10mV

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

10V @ 100mA, 500mA

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

275V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅