ON Semiconductor 2N5771

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-15V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-200mA

频率

8.5MHz

基本部件号

2N5771

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

8.5MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 300mV

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

集电极基极电压(VCBO)

15V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

高度

12.7mm

长度

12.7mm

宽度

12.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅