2N6035
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ON Semiconductor 2N6035

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型号

2N6035

utmel 编号

1807-2N6035

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2N6035 ON Semiconductor Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2N6035详情

ON Semiconductor 2N6035重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Maximum Operating Supply Voltage

    1.575 V

  • Minimum Operating Supply Voltage

    1.14 V

  • Typical Operating Supply Voltage

    1.2, 1.5 V

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    25 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N6035

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.59

  • 操作温度

    0 to 70 °C

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-225AA

  • 速度等级

    STD

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.5 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    4 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 集电极-发射器电压-最大值

    60 V

  • VCEsat-最大值

    3 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    200 pF

  • 环境耗散-最大值

    40 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N6035.

2N6035拓展信息

MMBT3904TT1G
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MMBTA92LT1G
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SMMBT5551LT1G
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BCP56-16T1G
BCP56-16T1G

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BCP56T1G
BCP56T1G

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BC857CLT1G
BC857CLT1G

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PZT2907AT1G
PZT2907AT1G

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MMBTA56LT1G
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2N3904BU
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