ON Semiconductor 2N6109

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

7A

hFEMin

30

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

40W

额定电流

7A

基本部件号

2N6109

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

40W

增益带宽积

10MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

3.5V

最大集电极电流

7A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A 4V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 3A, 7A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅