ON Semiconductor 2N6338G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

25A

频率

40MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N6338

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10A 2V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 2.5A, 25A

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅