ON Semiconductor 2N6387G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

hFEMin

100

Number of Elements

1

已出版

2001

包装

Tube

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N6387

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

转换频率

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

15.748mm

长度

10.2616mm

宽度

4.826mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅