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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 2N7000
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注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 2N7000

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型号

2N7000

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N7000

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

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2N7000
2N7000 ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

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2N7000详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2N7000重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-92-3

  • 质量

    201mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    200mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    400mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    5Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 额定电流

    200mA

  • 基本部件号

    2N7000

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    400mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 阈值电压

    2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 输入电容

    40pF

  • 漏源电阻

    1.2Ohm

  • 最大rds

    5 Ω

  • 栅源电压

    2.1 V

  • 高度

    5.2mm

  • 长度

    4.8mm

  • 宽度

    4.19mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2N7000相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    查看对比:
  • 2N7000

    2N7000

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    60V

    200 mA

    200mA (Ta)

    2.1 V

    5 Ω

    20 V

    400 mW

    400mW (Ta)

  • BS170
    BS170

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    60V

    500 mA

    500mA (Ta)

    2.1 V

    5 Ω

    20 V

    830 mW

    830mW (Ta)

    2N7000
    VS
    BS170
  • 2N7000BU
    2N7000BU

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    -

    200 mA

    200mA (Tc)

    3.9 V

    -

    30 V

    400 mW

    400mW (Ta)

    2N7000
    VS
    2N7000BU

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

2N7002LT1G

型号：2N7002LT1G

封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

品牌：ON Semiconductor

库存：85906

询价
NTA4153NT1G

型号：NTA4153NT1G

封装：SC-75, SOT-416

品牌：ON Semiconductor

库存：382200

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FDB24AN06LA0

型号：FDB24AN06LA0

封装：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

品牌：ON Semiconductor

库存：0

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FDI2532

型号：FDI2532

封装：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

品牌：ON Semiconductor

库存：68456

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FDD16AN08A0-F085

型号：FDD16AN08A0-F085

封装：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

品牌：ON Semiconductor

库存：4000

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BSS138K

型号：BSS138K

封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

品牌：ON Semiconductor

库存：4062

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