ON Semiconductor 2SA1418S-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

120mV

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

500mW

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

500mW

增益带宽积

120MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 25mA, 250mA

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅